Name: NVMYS4D1N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS4D1N06CLTWGTR-ND
Price: 2.1659 EUR
Availability: InStock

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NVMYS4D1N06CLTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NVMYS4D1N06CLTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMYS4D1N06CLTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMYS4D1N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMYS4D1N06CLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) LFPAK4 (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 80µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2200 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.7W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base	NVMYS4