Name: NVMYS2D1N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMYS2D1N04CLTWGTR-ND
Price: 2.1901 EUR
Availability: InStock

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NVMYS2D1N04CLTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NVMYS2D1N04CLTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMYS2D1N04CLTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMYS2D1N04CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMYS2D1N04CLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 29A (Ta), 132A (Tc) 3.9W (Ta), 83W (Tc) LFPAK4 (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29A (Ta), 132A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3100 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.9W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base	NVMYS2