Name: NVMYS021N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS021N06CLTWGOSTR-ND
Price: 1.1374 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NVMYS021N06CLTWG
N.º de producto de DigiKey	NVMYS021N06CLTWGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMYS021N06CLTWGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMYS021N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMYS021N06CLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) LFPAK4 (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.8A (Ta), 27A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	21mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 16µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	410 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base	NVMYS021