Name: NVMFS6H852NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H852NLT1GTR-ND
Price: 1.4762 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NVMFS6H852NLT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NVMFS6H852NLT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMFS6H852NLT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMFS6H852NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS6H852NLT1G
Descripción	MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	30 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 11H (Ta), 42H (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 906 pF @ 40 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11H (Ta), 42H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 13.1mOhm a 10A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conductores
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 45µA	Número de producto base NVMFS6