Name: NVMFS6H801NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H801NLWFT1GTR-ND
Price: 3.025 EUR
Availability: InStock

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NVMFS6H801NLWFT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NVMFS6H801NLWFT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVMFS6H801NLWFT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMFS6H801NLWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS6H801NLWFT1G
Descripción	MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 80 V 24A (Ta), 160A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Ta), 160A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.7mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5126 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NVMFS6