Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 3.8962 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NVMFS5113PLT1G
N.º de producto de DigiKey	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS5113PLT1G
Descripción	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMFS5113PLT1G Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 83 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4400 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10A (Ta), 64A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 14mOhm a 17A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN, 5 conductores
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA	Número de producto base NVMFS5