Name: NVD6824NLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD6824NLT4G-VF01OSTR-ND
Price: 2.6257 EUR
Availability: InStock

NVD6824NLT4G-VF01
N.º de producto de DigiKey	NVD6824NLT4G-VF01OSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVD6824NLT4G-VF01OSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVD6824NLT4G-VF01OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVD6824NLT4G-VF01
Descripción	MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 8.5A (Ta), 41A (Tc) 3.9W (Ta), 90W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVD6824NLT4G-VF01 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.5A (Ta), 41A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	20mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3468 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.9W (Ta), 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NVD6824

Precio unitario sin IVA:	2,17000 €
Precio unitario con IVA:	2,62570 €

NVD6824NLT4G-VF01