Name: NVBLS1D1N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVBLS1D1N08HTR-ND
Price: 9.1234 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

NVBLS1D1N08H
N.º de producto de DigiKey	488-NVBLS1D1N08HTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVBLS1D1N08HCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVBLS1D1N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVBLS1D1N08H
Descripción	MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 41A (Ta), 351A (Tc) 4.2W (Ta), 311W (Tc) 8-HPSOF
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	41A (Ta), 351A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.05mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 650µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	166 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11200 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	4.2W (Ta), 311W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HPSOF
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN
Número de producto base	NVBLS1