Name: NVB190N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 488-NVB190N65S3FTR-ND
Price: 5.1304 EUR
Availability: InStock

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NVB190N65S3F
N.º de producto de DigiKey	488-NVB190N65S3FTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NVB190N65S3FCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVB190N65S3FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVB190N65S3F
Descripción	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	SuperFET® III
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	190mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 430µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1605 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	162W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	NVB190