Name: NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGTR-ND
Price: 2.3111 EUR
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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NTTFSSCH4D0N08XLTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Descripción	MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 107A (Tc) 102W (Tc) 9-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	107A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.6mOhm a 23A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 115µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2520 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	102W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	9-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	9-PowerUDFN