Name: NTTFS2D1N04HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS2D1N04HLTWGTR-ND
Price: 2.0086 EUR
Availability: InStock

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NTTFS2D1N04HLTWG
N.º de producto de DigiKey	488-NTTFS2D1N04HLTWGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTTFS2D1N04HLTWGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTTFS2D1N04HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFS2D1N04HLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 24A (Ta), 150A (Tc) 2.2W (Ta), 83W (Tc) 8-PQFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	24A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.1mOhm a 23A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 120µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	43.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2745 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.2W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	NTTFS2