Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 3.0734 EUR
Availability: InStock

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NTTFS1D2N02P1E
N.º de producto de DigiKey	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFS1D2N02P1E
Descripción	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) 8-PQFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTTFS1D2N02P1E Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	23A (Ta), 180A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 934µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4040 pF @ 13 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	820mW (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	NTTFS1