Name: NTTFS115P10M5
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS115P10M5TR-ND
Price: 1.5488 EUR
Availability: InStock

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NTTFS115P10M5
N.º de producto de DigiKey	488-NTTFS115P10M5TR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTTFS115P10M5CT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTTFS115P10M5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTTFS115P10M5
Descripción	MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Plazo estándar del fabricante	32 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 2A (Ta), 13A (Tc) 900mW (Ta), 41W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Ta), 13A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	120mOhm a 2.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 45µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	637 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	900mW (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	NTTFS1