Name: NTMYS025N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTMYS025N06CLTWGOSTR-ND
Price: 1.8634 EUR
Availability: InStock

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NTMYS025N06CLTWG
N.º de producto de DigiKey	NTMYS025N06CLTWGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTMYS025N06CLTWGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTMYS025N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMYS025N06CLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) LFPAK4 (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.5A (Ta), 21A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	27.5mOhm a 7.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 13µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	330 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base	NTMYS025