Name: NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D5N08MCTR-ND
Price: 8.5547 EUR
Availability: InStock

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NTMTSC1D5N08MC
N.º de producto de DigiKey	488-NTMTSC1D5N08MCTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMTSC1D5N08MCCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMTSC1D5N08MCDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTSC1D5N08MC
Descripción	MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 80 V 33A (Ta), 287A (Tc) 3.3W (Ta), 250W (Tc) 8-TDFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMTSC1D5N08MC Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	Dual Cool™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	33A (Ta), 287A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.56mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 650µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10400 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.3W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	8-TDFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NTMTSC1