Name: NTMTS0D7N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND
Price: 5.2877 EUR
Availability: InStock

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NTMTS0D7N06CLTXG
N.º de producto de DigiKey	488-NTMTS0D7N06CLTXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMTS0D7N06CLTXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMTS0D7N06CLTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTS0D7N06CLTXG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Plazo estándar del fabricante	43 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 62.2A (Ta), 477A (Tc) 5W (Ta), 294.6W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMTS0D7N06CLTXG Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 225 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 16200 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 62.2A (Ta), 477A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFNW (8.3x8.4)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.68mOhm a 50A, 10V	Número de producto base NTMTS0