Name: NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS002N10MCTXGTR-ND
Price: 7.8166 EUR
Availability: InStock

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NTMTS002N10MCTXG
N.º de producto de DigiKey	488-NTMTS002N10MCTXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMTS002N10MCTXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMTS002N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMTS002N10MCTXG
Descripción	PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 9W (Ta), 255W (Tc) 8-DFNW (8.3x8.4)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	45A (Ta), 236A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.3mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 520µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6305 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	9W (Ta), 255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFNW (8.3x8.4)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	NTMTS002

Precio unitario sin IVA:	6,46000 €
Precio unitario con IVA:	7,81660 €

NTMTS002N10MCTXG