Name: NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS10P02R2GOSTR-ND
Price: 2.1659 EUR
Availability: InStock

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NTMS10P02R2G
N.º de producto de DigiKey	NTMS10P02R2GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMS10P02R2G
Descripción	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMS10P02R2G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14mOhm a 10A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3640 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	NTMS10