NTMFS4H01NFT3G onsemi | Productos de semiconductores discretos

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NTMFS4H01NFT3G
N.º de producto de DigiKey	NTMFS4H01NFT3G-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFS4H01NFT3G
Descripción	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 54A (Ta), 334A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	54A (Ta), 334A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	0.7mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5538 pF @ 12 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NTMFS4