Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 4.4044 EUR
Availability: InStock

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NTMFS3D2N10MDT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTMFS3D2N10MDT1G
Descripción	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Plazo estándar del fabricante	33 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2.8W (Ta), 155W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTMFS3D2N10MDT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	19A (Ta), 142A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 316µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	71.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3900 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NTMFS3