NTLJS4149PTBG onsemi | FET simple, MOSFET

NTLJS4149PTBG
N.º de producto de DigiKey	NTLJS4149PTBG-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTLJS4149PTBG
Descripción	MOSFET P-CH 30V 2.7A 6WDFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 2.7A (Ta) 700mW (Ta) 6-WDFN (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	62mOhm a 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	960 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-WDFN
Número de producto base	NTLJS41

NTLJS4149PTBG