Name: NTE4153NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4153NT1GOSTR-ND
Price: 0.4356 EUR
Availability: InStock

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NTE4153NT1G
N.º de producto de DigiKey	NTE4153NT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTE4153NT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTE4153NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTE4153NT1G
Descripción	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) SC-89-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTE4153NT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	915mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	230mOhm a 600mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	1.82 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	110 pF @ 16 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	300mW (Tj)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-89-3
Paquete / Caja (carcasa)	SC-89, SOT-490
Número de producto base	NTE4153