NTD4969NT4G onsemi | FET simple, MOSFET

NTD4969NT4G
N.º de producto de DigiKey	2832-NTD4969NT4GTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTD4969NT4G
Descripción	MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Ta), 41A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	837 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NTD4969

NTD4969NT4G