FQPF8N80CYDTU onsemi | FET simple, MOSFET

Canal N Orificio pasante 800 V 8H (Tc) 59W (Tc) TO-220F-3 (formación en Y)

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FQPF8N80CYDTU
N.º de producto de DigiKey	488-FQPF8N80CYDTU-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQPF8N80CYDTU
Descripción	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 8H (Tc) 59W (Tc) TO-220F-3 (formación en Y)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2050 pF @ 25 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 59W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-220F-3 (formación en Y)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) Paquete completo TO-220-3, conductores formados
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FQPF8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.55Ohm a 4A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

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Sustitutos (5)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FQPF8N80CYDTU	onsemi	97	FQPF8N80CYDTU-ND	2,92000 €	Equivalente paramétrico
STF6N80K5	STMicroelectronics	940	497-15014-5-ND	2,75000 €	Similar
STP7NK80ZFP	STMicroelectronics	47	497-11399-5-ND	3,55000 €	Similar
STP8NK80ZFP	STMicroelectronics	38	497-5982-5-ND	3,88000 €	Similar
FQPF8N80CYDTU	Rochester Electronics, LLC	367	2156-FQPF8N80CYDTU-ND	1,40497 €	Equivalente paramétrico

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FQPF8N80CYDTU

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