Name: FQD8P10TM-F085
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TM-F085TR-ND
Price: 2.0207 EUR
Availability: InStock

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FQD8P10TM-F085
N.º de producto de DigiKey	FQD8P10TM-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD8P10TM-F085CT-ND - Cinta cortada (CT) FQD8P10TM-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD8P10TM-F085
Descripción	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Plazo estándar del fabricante	11 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQD8P10TM-F085 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	530mOhm a 3.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	470 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FQD8P10