Name: FQD18N20V2TM
Brand: onsemi
SKU: FQD18N20V2TMTR-ND
Price: 2.1538 EUR
Availability: InStock

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FQD18N20V2TM
N.º de producto de DigiKey	FQD18N20V2TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQD18N20V2TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQD18N20V2TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQD18N20V2TM
Descripción	MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 15H (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQD18N20V2TM Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 26 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1080 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 15H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FQD18N20
Rds On (máx) @ Id, Vgs 140mOhm a 7.5A, 10V