


FQB55N10TM | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FQB55N10TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB55N10TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FQB55N10TM |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 12 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 100 V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FQB55N10TM Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 26mOhm a 27.5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 98 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±25V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2730 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2PAK) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 2,70000 € | 2,70 € |
| 10 | 1,75000 € | 17,50 € |
| 100 | 1,21320 € | 121,32 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 800 | 0,93203 € | 745,62 € |
| 1.600 | 0,86641 € | 1.386,26 € |
| 2.400 | 0,83703 € | 2.008,87 € |
| Precio unitario sin IVA: | 2,70000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 3,26700 € |

