Name: FQB4N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQB4N80TMTR-ND
Price: 3.3154 EUR
Availability: InStock

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FQB4N80TM
N.º de producto de DigiKey	FQB4N80TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB4N80TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FQB4N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB4N80TM
Descripción	MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 3.9H (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 880 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.9H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FQB4N80
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.6Ohm a 1.95A, 10V

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Documentos y medios

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En stock: 823

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
800	0,87920 €	703,36 €
1.600	0,81660 €	1.306,56 €

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,74000 €
Precio unitario con IVA:	3,31540 €

FQB4N80TM