Name: FQB47P06TM-AM002
Brand: onsemi
SKU: FQB47P06TM-AM002TR-ND
Price: 5.1183 EUR
Availability: InStock

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FQB47P06TM-AM002
N.º de producto de DigiKey	FQB47P06TM-AM002TR-ND - Cinta y rollo (TR) FQB47P06TM-AM002CT-ND - Cinta cortada (CT) FQB47P06TM-AM002DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB47P06TM-AM002
Descripción	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	13 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQB47P06TM-AM002 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3600 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 47A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base FQB47P06
Rds On (máx) @ Id, Vgs 26mOhm a 23.5A, 10V