FQB10N50CFTM-WS onsemi | Productos de semiconductores discretos

FQB10N50CFTM-WS
N.º de producto de DigiKey	FQB10N50CFTM-WSTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FQB10N50CFTM-WS
Descripción	MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 500 V 10A (Tc) 143W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FQB10N50CFTM-WS Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	FRFET®, QFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	610mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2210 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FQB10N50