FDZ197PZ onsemi | Productos de semiconductores discretos

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FDZ197PZ
N.º de producto de DigiKey	FDZ197PZTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDZ197PZ
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.8A 6WLCSP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3.8A (Ta) 1.9W (Ta) 6-WLCSP (1x1.5)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	64mOhm a 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	25 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1570 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WLCSP (1x1.5)
Paquete / Caja (carcasa)	6-UFBGA, WLCSP
Número de producto base	FDZ19