FDZ193P onsemi | Productos de semiconductores discretos

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Nexperia USA Inc.

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FDZ193P
N.º de producto de DigiKey	FDZ193PTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDZ193P
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) 6-WLCSP (1x1.5)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.7V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	90mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	660 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-WLCSP (1x1.5)
Paquete / Caja (carcasa)	6-UFBGA, WLCSP
Número de producto base	FDZ19