Name: FDT458P
Brand: onsemi
SKU: FDT458PTR-ND
Price: 1.2463 EUR
Availability: InStock

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FDT458P
cms-digikey-product-number	FDT458PTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDT458PCT-ND - Cinta cortada (CT) FDT458PDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	FDT458P
cms-description	MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
cms-standard-lead-time	15 semanas
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal P Montaje en superficie 30 V 3.4A (Ta) 3W (Ta) SOT-223-4
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	130mOhm a 3.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	205 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-223-4
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base	FDT458