FDS3512 onsemi | FET simple, MOSFET

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FDS3512
N.º de producto de DigiKey	FDS3512TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDS3512
Descripción	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 4A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 634 pF @ 40 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base FDS35
Rds On (máx) @ Id, Vgs 70mOhm a 4A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FDS3590	onsemi	2.485	FDS3590CT-ND	1,36000 €	MFR recomendado
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	2.504	846-RS6N120BHTB1CT-ND	3,30000 €	Similar

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