


FDP100N10 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FDP100N10-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDP100N10 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FDP100N10 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Última compra | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 10mOhm a 75A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 7300 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 208W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 3,64000 € | 3,64 € |
| 50 | 1,97340 € | 98,67 € |
| 100 | 1,80850 € | 180,85 € |
| 500 | 1,75586 € | 877,93 € |
| Precio unitario sin IVA: | 3,64000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 4,40440 € |

