Name: FDN5632N-F085
Brand: onsemi
SKU: FDN5632N-F085TR-ND
Price: 1.1374 EUR
Availability: InStock

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FDN5632N-F085
N.º de producto de DigiKey	FDN5632N-F085TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDN5632N-F085CT-ND - Cinta cortada (CT) FDN5632N-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDN5632N-F085
Descripción	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 1.7A (Ta) 1.1W (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDN5632N-F085 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 475 pF @ 15 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 1.1W (Ta)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.7A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 82mOhm a 1.7A, 10V	Número de producto base FDN5632
Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA