Name: FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86163PTR-ND
Price: 4.2471 EUR
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

FDMS86163P
N.º de producto de DigiKey	FDMS86163PTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMS86163PCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS86163P
Descripción	MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	43 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDMS86163P Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 59 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4085 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 7.9A (Ta), 50A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base FDMS86163
Rds On (máx) @ Id, Vgs 22mOhm a 7.9A, 10V