Name: FDMS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS6673BZTR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: InStock

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FDMS6673BZ
N.º de producto de DigiKey	FDMS6673BZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMS6673BZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMS6673BZ
Descripción	MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 15.2A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15.2A (Ta), 28A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.8mOhm a 15.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5915 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta), 73W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	FDMS6673