FDMC8882 onsemi | FET simple, MOSFET

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FDMC8882
N.º de producto de DigiKey	FDMC8882FSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMC8882FSCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMC8882FSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMC8882
Descripción	MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 10.5A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 945 pF @ 15 V
Estado de pieza Obsoleto	Disipación de potencia (Máx.) 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-MLP (3.3x3.3)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10.5A (Ta), 16A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base FDMC88
Rds On (máx) @ Id, Vgs 14.3mOhm a 10.5A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (6)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BSZ0909NSATMA1	Infineon Technologies	419	BSZ0909NSATMA1CT-ND	0,78000 €	Similar
BSZ130N03LSGATMA1	Infineon Technologies	25.755	BSZ130N03LSGATMA1CT-ND	0,82000 €	Similar
BSZ130N03MSGATMA1	Infineon Technologies	1.188	BSZ130N03MSGATMA1CT-ND	0,93000 €	Similar
RJK03M5DNS-00#J5	Renesas Electronics Corporation	7.826	RJK03M5DNS-00#J5CT-ND	1,61000 €	Similar
RQ3E080BNTB	Rohm Semiconductor	8.823	RQ3E080BNTBCT-ND	0,59000 €	Similar