Name: FDMC8882
Brand: onsemi
SKU: FDMC8882FSTR-ND
Price: 1.5488 EUR
Availability: InStock

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FDMC8882
N.º de producto de DigiKey	FDMC8882FSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMC8882FSCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMC8882FSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMC8882
Descripción	MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 10.5A (Ta), 16A (Tc) 2.3W (Ta), 18W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10.5A (Ta), 16A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14.3mOhm a 10.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	945 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.3W (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	FDMC88