Name: FDMC86116LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC86116LZTR-ND
Price: 1.6456 EUR
Availability: InStock

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FDMC86116LZ
N.º de producto de DigiKey	FDMC86116LZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDMC86116LZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDMC86116LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDMC86116LZ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) 8-MLP (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	103mOhm a 3.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	310 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.3W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	FDMC86116