Name: FDI150N10
Brand: onsemi
SKU: FDI150N10OS-ND
Price: 3.7873 EUR
Availability: InStock

FDI150N10
N.º de producto de DigiKey	FDI150N10OS-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDI150N10
Descripción	MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 57A (Tc) 110W (Tc) TO-262 (I2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDI150N10 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	57A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 49A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4760 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base	FDI150

Precio unitario sin IVA:	3,13000 €
Precio unitario con IVA:	3,78730 €

FDI150N10