Name: FDD8880
Brand: onsemi
SKU: FDD8880TR-ND
Price: 1.3068 EUR
Availability: InStock

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FDD8880
N.º de producto de DigiKey	FDD8880TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD8880CT-ND - Cinta cortada (CT) FDD8880DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD8880
Descripción	MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD8880 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1260 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD888