Name: FDD86250
Brand: onsemi
SKU: FDD86250TR-ND
Price: 2.2022 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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FDD86250
N.º de producto de DigiKey	FDD86250TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD86250CT-ND - Cinta cortada (CT) FDD86250DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD86250
Descripción	MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD86250 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2110 pF @ 75 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 132W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8A (Ta), 50A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V	Número de producto base FDD862
Rds On (máx) @ Id, Vgs 22mOhm a 8A, 10V

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IPD200N15N3GATMA1	Infineon Technologies	29.198	IPD200N15N3GATMA1CT-ND	2,60000 €	Directo
RBE039N15R1SZQ4#GB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBE039N15R1SZQ4#GB0TR-ND	1,98027 €	Similar