Name: FDD306P
Brand: onsemi
SKU: FDD306PTR-ND
Price: 1.1858 EUR
Availability: InStock

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FDD306P
N.º de producto de DigiKey	FDD306PTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD306PCT-ND - Cinta cortada (CT) FDD306PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD306P
Descripción	MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 6.7 A (Ta) 52W (Ta) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD306P Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	28mOhm a 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1290 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	52W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	FDD306