FDB8444 onsemi | FET simple, MOSFET

FDB8444
N.º de producto de DigiKey	FDB8444TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB8444CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB8444
Descripción	MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 70A (Tc) 167W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	70A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.5mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8035 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB844

Precio unitario sin IVA:	2,55000 €
Precio unitario con IVA:	3,08550 €

FDB8444