Name: FDB3652
Brand: onsemi
SKU: FDB3652TR-ND
Price: 3.0492 EUR
Availability: InStock

FDB3652
N.º de producto de DigiKey	FDB3652TR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB3652CT-ND - Cinta cortada (CT) FDB3652DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB3652
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDB3652 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta), 61A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 61A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2880 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB365

Precio unitario sin IVA:	2,52000 €
Precio unitario con IVA:	3,04920 €

FDB3652