Name: FDB33N25TM
Brand: onsemi
SKU: FDB33N25TMTR-ND
Price: 3.1823 EUR
Availability: InStock

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FDB33N25TM
N.º de producto de DigiKey	FDB33N25TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB33N25TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FDB33N25TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB33N25TM
Descripción	MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDB33N25TM Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	UniFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	33A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	94mOhm a 16.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2135 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	235W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB33N25