Name: FDB1D7N10CL7
Brand: onsemi
SKU: 488-FDB1D7N10CL7TR-ND
Price: 9.8252 EUR
Availability: OutOfStock

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Renesas Electronics Corporation

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Precio por unidad : 4,70000 €

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FDB1D7N10CL7
N.º de producto de DigiKey	488-FDB1D7N10CL7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-FDB1D7N10CL7CT-ND - Cinta cortada (CT) 488-FDB1D7N10CL7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB1D7N10CL7
Descripción	MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	46 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 268H (Tc) 250W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 700µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 163 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11600 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 250W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 268H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 15V	Número de producto base FDB1D7
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.65mOhm a 100A, 15V