Name: FDB12N50TM
Brand: onsemi
SKU: FDB12N50TMTR-ND
Price: 3.1823 EUR
Availability: InStock

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FDB12N50TM
N.º de producto de DigiKey	FDB12N50TMTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDB12N50TMCT-ND - Cinta cortada (CT) FDB12N50TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDB12N50TM
Descripción	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	UniFET™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	650mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1315 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	FDB12N50